قطع برق نيمساعته در يكي از كارخانههاي سامسونگ در نزديكي پيونگ تائك كره جنوبي، باعث توقف روند توليد و خرابي دهها هزار تراشهي رم در حال توليد شد.
گزارشها حاكي از آن هستند كه با قطع برق نيمساعته در ماه مارس (اسفند)، ۳.۵ درصد از موجودي تراشهي NAND در جهان تخريب شد كه ممكن است در هفتههاي آينده روي قيمت حافظهي فلش تأثير بگذارد.
به گزارش خبرگزاري تايواني TechNews، قطع برق در ۹ مارس (۱۸ اسفند) اتفاق افتاد و حدود ۳۰ دقيقه ادامه داشت؛ به همين دليل ۵۰ تا ۶۰ هزار تراشهي فلش V-NAND آسيب ديد كه ۱۱ درصد از توليدات ماهانهي سامسونگ را در بر ميگيرد. اين گزارش برآورد ميكند كه اين تعداد، حدود ۳.۵ درصد از خروجي حافظهي NAND جهاني است؛ اما دقيقا مشخص نيست كه اين درصد به معناي توليدات سختافزار تراشه يا ظرفيت ذخيرهسازي اين تراشهها در جهان است.
سامسونگ از كارخانهي خود در نزديكي پيونگ تائك براي توليد تراشهي ۶۴ بيتي V-NAND استفاده ميكند. اين كارخانه مجهز به يكي از بزرگترين تجهيزات توليد حافظهي فلش در جهان است؛ بنابراين هرگونه اختلال در روند توليد آن بر خروجي جهاني حافظههاي غير فرّار تأثير دارد. با اين حال از آنجايي كه خطوط توليد آسيب نديده و كارخانه توليد را مجددا آغاز كرده است، تأثير اين اختلال كمرنگ خواهد بود.
قطع برق اغلب هنگام توليد محصولات نيمههادي مختلف اتفاق ميافتد و در بعضي موارد باعث آسيب رساندن به تراشههاي در حال توليد ميشود. بهطور معمول، شركتها ميتوانند با اين وضعيت مقابله كنند؛ مگر اينكه خطوط توليد آسيب ببينند. اگر اين مشكلات در زماني كه كارخانه محصولات جديدي توليد ميكند رخ ندهد، كمبود حافظه هرگز اتفاق نخواهد افتاد. بر اساس گزارشات، سامسونگ داراي ذخاير چيپ NAND است و اين شركت ميتواند تعهدات كوتاهمدت خود را در زمينهي تأمين اين محصولات انجام دهد.
سامسونگ به اندازهي كافي براي پشتيباني از توليد گلكسي اس ۹ و گلكسي اس ۹ پلاس تا ماههاي آينده، تراشه توليد كرده است. در همين حال، ساير مصرفكنندگان عمده NAND در اواخر امسال در ماه آگوست يا سپتامبر (مرداد تا مهر) شروع به توليد محصولات خود ميكنند؛ بنابراين در هفتههاي آينده به تعداد زيادي حافظه NAND نيازي نيست.